常用电子元件的检测，耐腐蚀盐雾实验

常用电子元件的检测，耐腐蚀盐雾实验

气候环境应力试验

盐雾

考核元器件在盐雾环境下的抗腐蚀能力

外壳腐蚀

外引线腐蚀

金属化腐蚀

电参数漂移

鉴定检验

可靠性评价

低气压试验

考核元器件对低气压工作环境的适应能力

绝缘（电离、放电和介质损耗）

PN 结温度

机械环境应力试验

恒定加速度

确定元器件在离心加速度作用下的适应能力或评定其结构的牢靠性；检验并筛选掉粘片欠佳、内引线与键合点强度较差的器件

封装结构缺陷

芯片粘片

引线键合

芯片裂纹

机械强度

筛选试验

扫频振动

寻找被试验的试验样品的各阶固有频率及在这个频率段的耐振情况

振动噪声

考核在规定振动条件下有没有噪声产生

封装异物

振动疲劳

考核在规定的频率范围内，外载荷的长时间激励对集成电路封装的影响

机械冲击

确定元器件受到机械冲击时的适应性或评定其结构的牢靠性

外引线缺陷

与封装有关的试验

密封-粗检漏

确定具有内空腔的元器件和含有封装的元器件的气密性

封装的密封

密封-细检漏

PIND 试验

检验封装腔体内是否存在可动多余物，可动导电多余物可能导致微电路等的内部短路失效

特殊试验

扫描电镜

通过对入射电子与样品表面互相作用产生二次电子信号检测得到样品表面放大的图像

芯片表面缺陷

引线材料表面缺陷

键合缺陷

分析

能谱分析

通过对入射电子与样品表面互相作用产生俄歇电子信号检测得到样品表面检测点的元素成分

表面成分分析

辐射应力试验

总电离剂量辐照

对已封装的半导体集成电路进行钴60γ射线源电离辐射总剂量作用，以评价低剂量率电离辐射对器件的作用（明显的时变效应）

漏电流增大

工作速度改变

参数和功能失效

增益下降

衰减增大

翻转

烧毁

闩锁

暗电流增大

中子辐射

检测和测量半导体器件关键参数在中子环境中的退化与中子注量的关系

单粒子效应

获得器件单粒子翻转截面、锁定截面与入射离子LET的关系，测定半导体器件单粒子翻转与锁定的敏感性；考核MOSFETs单粒子烧毁和栅穿的敏感度