测量半导体电阻，排插老化测试

测量半导体电阻，排插老化测试

应用半导体的IV曲线去测量半导体结温，是一项芯片结温测量技术，从半导体物理学的角度，我们知道在PN结上施加恒流源后，结电压随着温度的变化大约是-1 mV/°C ～ -2mV/°C。描绘二极管电压随着温度的变化特征可以使用户测量二极管电压，并很容易地确定芯片温度。通过测量电压的去测量结温的方法也叫ETM（ElectricalTestMethod），在测量温度之前，要对表征该半导体电压和温度的关系线的斜率——即的ETM的K系数做准确标定，其标定的方法请参考。

大电流的K系数标定算法，目前还是一个业内难题（由于大电流自带一部功率，会影响终的温度），小电流的K系数，由于小电流功率较小（几百分之一，可以作为测量误差），被广泛使用。为了测试结果的可比性，1995年，JEDEC出具了JESD51-1半导体热测试标准，规定了功率，测试条件，测量设备的精度要求等测试要素，也提供了两种测试方法（动态法和静态法），并指出这两种测试方法的主要适用对象及工况。

后续车规级可靠性测试标准AQG324，也是主要参考了JESD 51-1的标准。

基于JESD51-1的标准，对结温的测量，其误差是比较大的，主要有几个因素：

1、对于半导体电压的测量，有一定的测量底噪，既是电压的测量精度。半导体导通压降一般是V级别，目前高等级的电压表是0.1级（51-1的标准要求是0.5级），也就是千分之一的误差，换算成电压就是mV级别，而绝大部分简易的电压测量装置，底噪普遍在3-5mV，换算成温度误差大概是2-3度；