半导体测电阻率，带电老化测试

半导体测电阻率，带电老化测试

T3ster及其特点

热瞬态测试仪T3Ster，用于半导体器件的先进热特性测试仪，用于测试IC、SoC、SIP、散热器、热管等的热特性。

1.兼具 JESD51-1定义的静态测试法（Static Mode）与动态测试法（Dynamic Mode），能够实时采集器件瞬态温度响应曲线 （包括升温曲线与降温曲线），其采样率高达 1 微秒，测试延迟时间高达 1 微秒，结温分辨率高达0.01度。

2.既能测试稳态热阻，也能测试瞬态热阻抗。

3.满足JEDEC新的结壳热阻（θjc）测试标准（JESD51-14）。

4.测试方法符合 IEC 60747系列标准。

5.满足 LED 的 JESD51-51，以及LED 光热一体化的测试标准 JESD51-52。

6.测试方法符合 MIL-STD-883H method 1012.1 和 MIL-750E 3100系列的要求。

7.结构函数分析法，能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能（热阻和热容参数），构建器件等效热学模型。

8.可以和热仿真软件 Flotherm，FloEFD无缝结合，将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。

测试LED产品的相关参数：

基板温度：室温~90度
小采样时间间隔：1μs
结温测试分辨率：0.01度
典型电压测量分辨率：12μV