半导体材料的检测与测试，冲击冷热箱试验

半导体材料的检测与测试，冲击冷热箱试验

半导体器件封装内部结构分析，包括器件封装内部每层结构（芯片+焊接层+热沉等）的热阻和热容参数；

⑤半导体器件老化试验分析和封装缺陷诊断，帮助用户准确定位封装内部的缺陷结构；

⑥材料热特性测量（导热系数和比热容）；

⑦接触热阻测量，包括导热胶、新型热接触材料的导热性能测试。



四. 测试方法——基于电学法的热瞬态测试技术

1.测试方法——电学法

寻找器件内部具有温度敏感特性的电学参数，通过测量该温度敏感参数（TSP）的变化 来得到结温的变化。

TSP 的选择：一般选取器件内 PN 结的正向结电压。



2.测试技术：热瞬态测试

① 当器件的功率发生变化时，器件的结温会从一个热稳定状态变到另一个稳定状态，T3Ster将会记录结温瞬态变化过程（包括升温过程与降温过程）。

② 一次测试，既可以得到稳态的结温热阻数据，也可以得到结温随着时间的瞬态变化曲线。

③ 瞬态温度响应曲线包含了热流传导路径中每层结构的详细热学信息（热阻和热容参数）。