半导体器件热阻测试，电机加速老化试验

半导体器件热阻测试，电机加速老化试验

T3Ster 系统技术规格

1.加热功率：0-10A/150V（电流线性可调），满足大功率高压LED产品测试；

2.电流范围：0-10A，线性输出；

3.器件电压：0-150V；

4.电流准确度：0.05%；

5.K系数测试电流：0-200mA（电流线性可调），与外部控温装置联动，自动测试K系数；

6.电流范围：0-200mA，线性输出；

7.器件电压：0-150V；

8.电流准确度：0.05%；

9.Gate控制电压：0-10V（线性可调）；

10.电压范围：0-10V；

11.电压准确度：0.05%；

12.加热状态到测试状态切换时间：1s；

13.具有循环脉冲输出功能：输出脉冲循环次数可设置一次到无数次；

14.温度测试方法：ETM测试法（器件导通电压作为温度敏感变量），兼容三大测试标准：JEDEC（JESD51-1，JESD51-14，JESD51-50，JESD51-51，JESD51-52），MIL-STD-750E，IEC60747；

15.瞬态热测试方法：提供两种测试方法：静态测试法（持续加热，热平衡后，冷却中连续测试）；动态测试法（脉冲加热，单点测试）；

16.电压信号采样速率：1us/次；

17.温度采样精度：0.0006度（电压分辨率12uV模式下）；

18.瞬态热测试完成后，输出的热阻热容网络模型，可以被热仿真软件使用，进行仿真分析；