Ar和SFG气氛下DEA–SnOx/C和SnOx/C催化剂在0.5MKHCO3电解液中的LSV曲线,以及SFG气氛下SnOx/C催化剂在0.5MKHCO3和0.1MDEA电解液中的LSV曲线;SFG气氛下上述样品在0.5MKHCO3电解液中的(b)FEHCOO–和(c)jHCOO–;(d)DEA–SnOx/C和SnOx/C的CO2吸附等温线。DEA–SnOx/C在不同CO2浓度下于0.75V时的FEHCOO–和jHCOO–;(b)MEA–SnOx/C,TEA–SnOx/C和PEA–SnOx/C中的N原子含量;SFG气氛下MEA–SnOx/C,TEA–SnOx/C和PEA–SnOx/C在0.5MKHCO3电解液中的(c)FEHCOO–和(d)jHCOO–。
Ar和SFG气氛下DEA–SnOx/C在0.1MnBu4NPF6/AN电解液中的LSV曲线,以及SFG气氛下SnOx/C催化剂在0.1MnBu4NPF6/AN和0.1MDEA电解液中的LSV曲线;(b)DEA–SnOx/C在CO2吸附后的N1s光谱;(c)DEA–SnOx/C在CO2饱和的0.5MKHCO3电解液中不同施加电位下的原位IR光谱;(d)DEA–SnOx/C催化剂上甲酸盐的形成机制。在SFG电还原中,醇胺功能化的氧化锡催化剂表现出明显高于初始SnOx/C催化剂的活性。当jHCOO–为6.7mA·cm-2时,DEA–SnOx/C催化剂可在-0.75V下实现高达84.2%的FEHCOO-。
当环境温度变化时,两个谐振梁频率和幅度变化相同,将两个频率差后,其相同变化量就能够相互抵消。其测量zui高精度可达0.01%FS。美国SiliconMicrostructureInc.(SMI)公司开发一系列低价位,线性度在0.1%到0.65%范围内的硅微压力传感器,zui低满量程为0.15psi(1KPa),其以硅为材料制成,具有独特的三维结构,轻细微机械加工,和多次蚀刻制成惠斯登电桥于硅膜片上,当硅片上方受力时,其产生变形,电阻产生压阻效应而失去电桥平衡,输出与压力成比例的电信号.象这样的硅微传感器是传感器发展的前沿技术,其基本特点是敏感元件体积为微米量级,是传统传感器的几十、几百分之一。