半导体寿命检测，温度冲击实验

半导体寿命检测，温度冲击实验

电学特性：如衬底材料的

电学特性：如衬底材料的导电类型、电阻率（包括平面分布和一批晶片之间的离散度）、少数载流子寿命、扩散或离子注入层的导电类型与薄层电阻、介质层的击穿电压、金属-氧化物-半导体结构的电容特性、氧化层中的电荷和界面态、金属膜的薄层电阻、通过氧化层台阶的金属条电阻、金属－半导体接触特性和欧姆接触电阻、二极管特性、双极型晶体管特性、金属-氧化物-半导体晶体管特性等。

④装配和封装的工艺检测：如键合强度和密封性能及其失效率等。

相互关系

各类和各个检测项目，有许多是密切相关的。例如，掺杂浓度和分布，除了通过成分结构的分析直接检测外，还可以通过测量电阻率与薄层电阻等方法进行推算。同样，二极管和晶体管的许多特性也与其刻蚀图形和几何结构有密切关系。同一检测项目根据不同产品和工艺的要求，如检测灵敏度、特定的杂质成分等，从经济和使用方便考虑，有时又可选用不同的检测方法和检测手段。对工艺过程存在的问题，有时根据一项检测结果就可作出判断，有时却要对几项测试结果进行综合分析进行判断。在工艺管理中，根据这些具体情况把那些能够直接而又简便地反映工艺控制情况的检测项目，列为经常进行的常规检测。对于那些有助于深入分析和判断工艺中存在的问题，但操作比较繁杂或费用高的检测项目，一般列入非常规的工艺测试，只进行定期或不定期的抽测。

破坏性检测方法

在常规检测中，有时还采用破坏性的方法（如测PN结深度、键合强度等），较多的则属非破坏性测试。采用非破坏性的检测方法，一般也不在半导体器件和集成电路的半成品或在制品上进行直接测量。

其原因是:①避免由于工艺检测引进损伤和沾污;②从半导体器件和集成电路的现成结构上一般难以直接进行所需的工艺检测项目。特别是当集成电路的集成密度增大、图形更加精细时，更难从测量集成电路芯片直接判断工艺中存在的问题。

需要采用专门的测试样片进行测试。例如，要测量薄层电阻、PN结的击穿电压或双极型晶体管的电流增益等在整个晶片上的分布情况，就要有专门的测试样片，并按照与正式产品的晶片相同的工艺条件在它的上面加工成薄层电阻、二极管或是双极型晶体管的测试结构阵列。这些测试样片有的用于检验单项工艺步骤，有的则要经受几步连续工艺甚至完成全部工序之后才能进行测试检验。除了根据需要采用专门的测试样片之外，在用于加工正式产品的晶片内部，也在芯片图形之间以适当布局穿插一些包含各种测试结构的测试芯片，或在每个正式芯片的边角位置配置少量测试结构。