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半导体硅材料测定,电线热冲击试验

更新:2024-05-16 11:00 发布者IP:112.81.163.228 浏览:0次
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半导体硅材料测定,电线热冲击试验
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产品详细介绍

半导体硅材料测定,电线热冲击试验

相比不交叉互联,金属护层流过的电流大大降低。

非接地端金属护层上高感应电压为长长度那一段电缆金属护层上感应的电压。

交叉互联必须断开金属护层,断口间与对地均需绝缘良好,一般采用互联箱进行电缆金属护层的交叉互联。

接地端金属护层通过同轴电缆引入直接接地箱接地;非接地端金属护层通过同轴电缆引入交叉互联接地箱,箱内装有护层过电压保护器限制可能出现的过电压。


(3)交叉互联性能检验

电缆外护套、绝缘接头外护套与绝缘夹板的直流耐压试验:试验时必须将护层过电压保护器断开,在互联箱中将另一侧的三段电缆金属套都接地,使绝缘接头的绝缘环也能结合在一起进行试验。

非线性电阻型护层过电压保护器试验:以下两项均为交接试验项目,预防性试验选做其中一个。

伏安特性或参考电压,应符合制造厂的规定。

非线性电阻片及其引线的对地绝缘电阻,用1000V兆欧表测量引线与外壳之间的绝缘电阻,其值不应小于10MΩ。

互联箱闸刀(或连接片)接触电阻和连接位置的检查:连接位置应正确无误。在正常工作位置进行测量,接触电阻不应大于20μΩ。


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