半导体先进测试,电线热老化试验
测量金属屏蔽层电阻和导体电阻比
(1)试验目的
测量金属屏蔽层电阻和导体电阻可以监视其受腐蚀变化情况,测量电阻比可以消除温度对直流电阻测量的影响。
(2)试验周期
交接试验
(3)试验方法
用双臂电桥测量在相同温度下的金属屏蔽层和导体的直流电阻。
(4)试验判断
与投运前的测量数据相比较不应有较大的变化。当前者与后者之比与投运前相比增加时,表明屏蔽层的直流电阻增大,铜屏蔽层有可能被腐蚀;当该比值与投运前相比减少时,表明附件中的导体连接点的接触电阻有增大的可能。
3.6 交叉互联系统试验
(1)交叉互联系统示意图
(2)交叉互联效果及构成