肖特基二极管失效分析，铜加速醋酸盐雾测试
主要的失效的原因和定义
主要的失效原因是物理与化学的过程，可能是设计上的弱点或者是制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生失效。
1.机械损伤
机械损伤在电子元件制备电极及电极系统工艺中经常出现，如果在成品中，存在金属膜划伤缺陷而未被剔除，则划伤缺陷将是元器件潜在的失效因素，必将影响器件的长期可靠性。
2.结穿刺
结穿刺是指PN结界面处于一导电物所穿透，结穿刺通常导致PN结短路失效。
3.金属化电迁移
当元件在工作时，在电流的作用下，金属离子沿导体移动，导体内部某一部位出现空洞，这就是电迁移，产生电迁移的内在因素为薄膜导体内部结构的非均匀化，外部因素为电流密度。
4.表面离子沾污
电子元件在制造过程和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质，或由于辐射电离，静电荷积累等因素影响，在器件内部氧化层表面产生正离子和负离子，在偏压的作用下能沿表面移动，正离子聚集在负电极周围，负离子聚集在正电极周围，沾污严重时足以使芯片发生改变，引起表面漏电，击穿，表面离子沾污还会引起金属腐蚀，使的电极和封装系统发生生锈、断裂。
5.银迁移
在电子元件储存过程及使用中，空气中存在湿气，水分，导致其相对活泼的金属银离子发生迁移，导致短路，耐压劣化，绝缘性能变差等失效。
