半导体的失效分析，树脂铜离子加速盐雾试验

半导体的失效分析，树脂铜离子加速盐雾试验

过电应力

电子元件在其参数指标中设定了使用时所承载的大应力，包括高环境温度，大额定功率，大工作电压、电流、峰值电压、大输入、输出电流/电压等，如果在使用过程中，所加的电应力超过元件的大应力，是瞬间通过，也会对元件造成损伤，一般过电应力分为过电压和过电流两种，在过电应力作用下，电子元件局部形成热点，当温度达到材料熔点时，会造成材料熔化，形成开路或者短路，导致元件失效。

7.静电损伤

静电失效分为两种，潜在性失效和突发性失效，潜在性失效是指静电的放电能量比较低，仅仅局限于元件内部轻微损伤，放电后元件参数变化不大，但元件的抗过电压能力已经下降，使用寿命缩短，经过一段工作时间后就会出现失效，而突发性失效是指元件在静电放电损伤后，突然出现开路、短路或者参数漂移，这类表现明显，也比较容易被发现。

对于电子材料来讲，静电分为过电压场和过电流热，过电压场指的是高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端电极受到高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使得电极之间介质发生击穿失效，过电压场失效多发于MOS元器件以及双极性电路和混合电路。过电流热失效指的是在较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大，使局部区域温度温升超过材料熔点温度，导致材料发生局部熔融是元器件失效，过电流热致失效多发生在双极性元件，包括输入用PN结保护的MOS电路，肖特基二极管以及含有双极性元件的混合电路。

六.失效分析的主要顺序

失效分析原则是**行非破坏性分析，后进行破坏性分析，先外部分析，后解剖分析，先了解失效的有关情况，比如说设计线路，应力条件，失效现象，后分析元器件。