比热容测量方法，膜表面电阻测试

比热容测量方法，膜表面电阻测试

热阻仿真需要注意的几点：一是真正有源区面积的确定：硅片上制作有源器件的区域称为有源区，也就是有杂质注入的地方，包括 P 掺杂区和 n掺杂区等，器件工作时载流子流过该区域产生焦耳热量；而其他部分是作为切割硅片保留的划片区或者隔离区，没有或者很少产生热量。有源区是真正发热的部分。对于高压的器件，建模过程中需要关注有源区的影响，因为不发热的面积占比较大，排除了不发热的面积，仿真结果会与实际更接近。二是结温需要达到140℃左右，与实际测试热阻的结温接近，因为SI在高温下导热系数会降低。详情见参数表1。

2.3热阻计算

根据瞬态热阻计算理论，瞬态热阻先计算出脉冲占空比δ=0的时候的瞬态热阻，其他占空比的瞬态热阻根据下面的公式计算出。图6是仿真与实际测试结果对比，精度还是很高的。

(2)Z_(θ(tp))是占空比δ=0时候的瞬态热阻。