比热的测定方法,固体电导率测试方法

2024-11-27 11:00 112.81.199.228 1次
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比热的测定方法,比热检测,比热测试,固体电导率测试方法,固体电导率检测
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比热的测定方法,固体电导率测试方法

给芯片施加损耗P,要求芯片的结温稳态时达到140℃左右,铜基板底部设置对流换热,使得热量从铜基板底部散出来,忽略可能存在的对流换热以及辐射散热。芯片高温度点为Tj,铜基板上的芯片正下方的点选为Tc。进行瞬态热仿真,获取一组Tj与Tc,采用公式(1),进行瞬态热阻的计算。


热阻仿真需要注意的几点:一是真正有源区面积的确定:硅片上制作有源器件的区域称为有源区,也就是有杂质注入的地方,包括 P 掺杂区和 n掺杂区等,器件工作时载流子流过该区域产生焦耳热量;而其他部分是作为切割硅片保留的划片区或者隔离区,没有或者很少产生热量。有源区是真正发热的部分。


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经营范围汽车零部件电子产品检测技术服务
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