集成电路失效分析测试,铝件盐雾试验

更新:2025-01-28 11:00 编号:21225899 发布IP:112.81.163.47 浏览:14次
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集成电路失效分析测试,铝件盐雾试验

对样品进行SEM检测,发现电阻膜存在损伤。


EDS分析



说明:损伤位置Cr占0.54%,Ni占0.8%,K元素,占0.03%


说明:未损伤位置,Cr占1.47%,Ni占1.58%

分析结果:

通过外观、阻值、SEM、EDS等检测,判断引起电阻失效的原因:

① 未发现电阻内部有明显的异常;

② 电阻膜有缺损,导致电阻值大或开路失效;

③电阻膜有损伤,且损伤位置发现O元素含量较高,还有部分K元素(K离子极易溶入水中,容易造成电阻膜电解);


失效机理

电阻膜腐蚀造成电阻失效的发生机理为:外部水汽通过表面树脂保护层浸入到电阻膜层,在内部电场作用下,发生水解反应。电阻膜表面残留的K离子、Na离子极易溶于水,加速了电阻膜的水解反应,致使电阻膜腐蚀失效。

基于此,为了减少这种失效情况的发生,我们建议从以下两个方面入手:

一是从工艺入手,增加三防工艺,避免水汽侵蚀;

二是从选材切入,选用高可靠性的电阻材料。


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