tc200可靠性测试，沉镍金产品耐盐雾测试
失效率与环境系数不成正比的元器件， 以半导体集成电路为主
a) 基本信息：
半导体集成电路的质量等级； 半导体集成电路的总量； 半导体集成电路工厂缺陷率， PPM； 半
导体集成电路现场工作小时数； 半导体集成电路现场失效率。
b) 确定失效率模型
半导体集成电路失效模型为：
λ P =π Q ×[C 1 ×π T ×π V ×π PT ＋(C 2 ＋C 3 ) ×π E ] ×π L(2-4-3)
式中： λ P ——工作失效率；
π Q ——质量系数；
π T ——温度应力系数；
π V ——电应力系数；
π E ——环境系数；
C 1 ， C 2 ——电路复杂度失效率；
C 3 ——封装复杂度失效率；
π L ——器材成熟系数；
π PT 可编程工艺系数， 除可编程序的只读存储器外， 其余为一。
可根据半导体集成电路的质量系数和有关技术， 确定π E 、 π Q 、 π T 、 π V 、 π PT 和C 1 ，把它们和
已知的现场失效率数据一并代入式(2-4-3) ， 可求得C 1 ×π T ×π V ×π PT 和C 2 ＋C 3 的值，并分别令其
为K 1 、 K 2 ， 式(2-4-3) 简化为：
λ P =π Q ×(K 1 ＋K 2 ×π E ) ×π L (2-4-4)
式中： K 1 =C 1 ×π T ×π V ×π TP
K 2 =C 2 +C 3
c) 导出现场缺陷率计算公式
现场缺陷率等于现场失效率与现场工作时间的乘积除以元器件总数。 从基本信息可得到现场工
作时间和元器件总数 ， 再利用式(2-4-3) 求得的失效率数据, 就可导出缺陷率计算公式：
D PU =λ Ρ ×Τ ／ Ν (2-4-5)
式中： D PU ——现场缺陷率；
λ Ρ ——统计得到的工厂缺陷率；
Τ ——现场工作总时间；
Ν——统计的元器件总数。
令K3=T/N， 合并式(2-4-3) 、 (2-4-4) 、 (2-4-5) 得：
D PU =D Pf +D pu
=D pf +K 3 ×π Q ×(K 1 ＋K 2 ×π E ) ×π L (2-4-6)
式中： D PU ——要计算的缺陷率；
D pf ——统计得到的工厂缺陷率；
π Q ——质量系数；
π E ——环境系数；
π L ——器材成熟系数；
K 1 、 K 2 、 K 3 ——根据统计数据导出的常数。
d) 示例
已知： 进口集成电路的质量等级为C－1， 统计的集成电路数量N为624087个， 统计的工厂缺陷
率 D pf 为160PPM， 现场总工作时间T为8580× 10
6 h， 现场失效率为0. 025× 10 －6 /h； 求取： 该质量等
级集成电路的失效率计算公式和缺陷率计算公式。
步骤： 根据有关标准确定某些值为：
π Q =13. 0 C 1 =0. 0053 π T =0. 032 π V =1. 0
π PT =1. 0 π E =4. 0 π L =1. 0
代入式(2-4-3) ： λ P =π Q ×[C 1 ×π T ×π V ×π PT ＋(C 2 ＋C 3 ) ×π E ]×π L 有：
0. 025=13. 0[(0. 0053×0. 032×1. 0×1. 0) +(C 2 +C 3 ) 4. 0] 1.0
则： C 2 +C 3 =K 2 =0. 00044
C 1 ×π T ×π V ×π TP =K 1 =0. 00017
将上述数据代入式(2-4-4) 得到失效率计算公式：
λ P =π Q ×(0. 00017+0. 00044π E )
现场缺陷率计算公式为：
D PU =λ Ρ ×Τ ／ Ν
=λ Ρ ×8580×10
6 /624087
=[π Q ×(0. 00017+0. 00044π E ) ] ×0. 0137481
=π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) ×10
-6
=π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) (PPM)
总缺陷率计算公式为：
D PU =D Pf +D pu
=160＋π Q ×(2. 3372+6. 0492π E ) (PPM)
用此公式可以推算其它质量等级和环境下元器件的缺陷率。
