光伏连接器测试，可靠性寿命试验

光伏连接器测试，可靠性寿命试验

试验要求在键合线中部对键合线施加垂直微电路；芯片方向指向芯片反方向的力，施力要从零开始缓慢增加，避免冲击力。若设定一个力，当施力增加到该力时停止限力，且此力应不大于*小键合力规定值的80％，则试验称为非破坏性键合强度试验。

若试验时施力增加到键合断裂时停止，称破坏性健合强度试验。健合强度试验目的是对微电路键合性能作批次性评价，要有足够多的试验样品．非破坏性键合强度试验有时作为筛选试验项目。

该试验目的是检验微电路封装内部的内引线与芯片和内引线与封装体内外引线端键合强度．分为破坏性键合强度试验和非破坏性键合强度试验．键合强度差的微电路会出现内引线开路失效。

• 芯片附着强度试验

该试验目的是考核芯片与管壳或基片结合的机械强度。芯片附着强度试验有两个，即芯片与基片／底座附着强度试验和剪切力试验．前者是考核芯片承受垂直芯片脱寓基片／底座方向受力的能力。后者是考核芯片承受平行芯片与基片／底座结合面方向受力的能力。

试验要求严格控制施加力的方向，且避免冲击力。该试验的判据力与芯片面积成正比，且与脱落后界面附着痕迹面积与芯片面积的比值有关．附着痕迹面积小，意味着结合性能差，判据力要加严。