固体比热容测量，体积电阻检测
通过正电子湮灭光谱和球差校正扫描透射电镜表征揭示了Bi空位和Mg空位潜在的聚集行为。由此产生的空位团簇等复杂缺陷能够诱导高密度位错的产生，有效散射中频和高频声子，进而显著降低晶格热导率，从而实现中高温区热电性能的大幅优化。终，优化缺陷浓度的n型Mg3（Sb,Bi）2材料的ZT峰值可达1.82，在T=473K时的转换效率高达11.3%，均为该体系水平。该研究阐明了热电材料中异质空位调控的重要性，并为缺陷演化机理分析提供了新的思路。
图2. 缺陷调控优化的Mg3（Sb,Bi）2材料的热电性能及能量转换效率
相关成果以“Mg3（Sb,Bi）2基热电材料中Bi欠量诱导高性能”（Bi-Deficiency Leading toHigh-Performance in Mg3(Sb,Bi)2-Based ThermoelectricMaterials）为题，近日在线发表在国际期刊《先进材料》（AdvancedMaterials）上。该工作已经获得中国发明专利。