美国能源研究学会在一份说明中解释说：“氦气是一种惰性气体，很难和其他成分起反应，这让其成为半导体制造中很理想的材料。在硅片周遭裹上惰性气体，可以避免出现意料之外的反应。另外，由于氦气具有高导热性，它还能高效散热，这可以在半导体制造过程中降低硅片的温度，能让半导体的体积变得更小。
特色项目：
未知气体定性定量分析。
（一）、压力试验
1.管道强度试验压力应为设计压力的1.15倍，时间应保持30min;
2.管道气密性试验压力应为设计压力的1.05倍，时间应保持24h；
3.压力实验过程应记录起始、终止温度，温度、压力修正后的压降值不得超过1%。
（二）、氦检漏测试
1.氦检漏仪表应采用质谱型氦检测仪，其检测精度不得低于1x10-10mbar·1/s
2.特种气体系统氦检漏的泄露率应符合下列规定：
内向测漏法测定的泄露率不得大于1x10-9mbar·1/s
3.氦检漏发现的泄漏点经修补后，应重新经过气密性试验，合格后再按规定进行氦检漏；
4.所有可能泄漏点应用塑料袋进行隔离；
5.系统测试完毕，应充入高纯氮气或氩气，并进行吹扫。
（三）、颗粒测试
1.特种气体系统颗粒测试时，其气体流量应根据管道直径确定；
2.测试气源的颗粒数应在规定颗粒直径状态为零；
3.测试气体中大于0.1~0.3微米的颗粒数应≤35颗粒/m³；连续3次达标为合格。
（四）、水分测试
1.特种气体系统水分测试时，气体速度应低于设计流速的10%，且小于3m/s；
2.测试气源的水分应小于1ppbv；
3.测试气体水分增量应小于20ppbv；
4.测试结束后，应至少保持20min稳定在规定值以下为合格。
（五）、氧分测试
1.特种气体系统氧分测试时，气体速度应低于设计流速的10%，且小于3m/s；
2.测试气源的氧分应小于1ppbv；
3.测试气体氧分增量应小于20ppbv；
4.测试结束后，应至少保持20min稳定在规定值以下为合格。
