二极管失效分析，老化实验方案

二极管失效分析，老化实验方案

体二极管失效

在不同的拓扑、电路中，MOSFET有不同的角色，比如在LLC中，体内二极管的速度也是MOSFET可靠性的重要因素。漏源间的体二极管失效和漏源电压失效很难区分，因为二极管本身属于寄生参数。失效后难以区分躯体缘由，预防电压及二极管失效的解决办法存在较大差异，主要结合自己电路来分析。

体二极管失效预防措施：

其实有那个体二极管，在大部分时候都不碍事，有时候还有好处，比如用在H桥上，省得并二极管了。当然也有碍事的时候，那就用两个MOS管头顶头或者尾对尾串联起来就可以了。

那个二极管是工艺决定的，也不必太在意，接受它的存在就好了。还有，多说两句，其实MOS管的D和S本质上是对称的结构，只是沟道的两个接点。由于沟道的开启和关闭涉及到栅极和衬底之间的电场，那么就需要给衬底一个确定的电位。又因为MOS管只有3个管脚，需要把衬底接到两个管脚之一。那么接了衬底的管脚就是S了，没接衬底的管脚就是D，我们应用时，S的电位往往是稳定的。在集成电路中，比如CMOS中或者还有模拟开关中，由于芯片本身有电源管脚，那些MOS管的衬底并不和管脚接在一起，而是直接接到电源的VCC或者VEE，这时候D和S就没有任何区别了。