无锡博汇之能变频器有配件维修

无锡博汇之能变频器有配件维修TX-4T040C型变频器：F00即用户密码设置，出厂设置为：8888。若该机密码已被修改，解开密码的方法是：变频器上电，把JP4焊点短接一下,即恢复了出厂密码。JP4在主板CPU上方，为空端子，未有插接件，只是两个焊盘。将其短接一下后，再进入参数设置，确认8888的出厂密码后，即可修改F00以后的参数了。

　IGBT概述

　　IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，无锡博汇之能变频器有配件维修是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

　　IGBT结构

　　左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，无锡博汇之能变频器有配件维修使IGBT导通。无锡博汇之能变频器有配件维修加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。

一文解析变频器IGBT模块的静态测量

　　IGB模块原理电路分析

　　IGBT模块有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

　　若在IGB模块T的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，无锡博汇之能变频器有配件维修这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

　　IGBT模块在依照我们国内的技术也可能没有达到市场的一般，我国的IGBT模块依然是依赖进口满足市场。